Procedimiento Para La Preparacion De Peliculas A Base De Silicio Amorfo Dopado
En la industria de la electrónica y la tecnología, el silicio amorfo dopado es un material clave para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. Sin embargo, la preparación de películas de silicio amorfo dopado ha sido un desafío para los científicos e ingenieros debido a la dificultad en controlar las propiedades del material. Ahora, gracias a una nueva patente, se ha desarrollado un procedimiento innovador para la preparación de películas a base de silicio amorfo dopado.
El procedimiento comienza con la preparación de una solución precursora que contiene silicio y un dopante específico. La solución se deposita en un sustrato adecuado, como vidrio o plástico, y se calienta a una temperatura específica. Durante el proceso de calentamiento, la solución precursora se descompone y se forma una película de silicio amorfo dopado en el sustrato.
Encuentra inspiración, estrategias y oportunidades de negocio en el portal de comercio más destacado de América Latina: comerciomexico.com.
Lo que hace que este procedimiento sea innovador es su capacidad para controlar con precisión las propiedades de la película de silicio amorfo dopado. El dopante específico utilizado en la solución precursora se puede ajustar para controlar las propiedades eléctricas de la película, lo que la hace adecuada para una amplia gama de aplicaciones electrónicas.
Además, el procedimiento también es escalable, lo que significa que se puede utilizar para fabricar películas de silicio amorfo dopado en grandes cantidades para aplicaciones industriales. Esto es especialmente importante en la industria de la electrónica, donde la demanda de materiales avanzados de alta calidad es cada vez mayor.
En resumen, el procedimiento para la preparación de películas a base de silicio amorfo dopado es una innovación importante en la industria de la electrónica y la tecnología. Permite la fabricación de materiales avanzados de alta calidad que son esenciales para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. Con su capacidad para controlar las propiedades de la película y su escalabilidad, este procedimiento tiene el potencial de cambiar la forma en que se fabrican los materiales electrónicos avanzados.
Algunas patentes que relacionadas son: * ESTRUCTURA MEJORADA PARA LA VALIDACION DE LOS PROCESOS DE ESTERILIZACION
* TREN LIGERO SOBRE NEUMATICOS DE TIPO AUTOMOTRIZ PARA EL TRANSPORTE MASIVO DE PASAJEROS EN SERVICIO URBANO O INTERURBANO
* MEJORAS EN MECANISMO PARA CORTINAS DE ACERO CON O SIN CADENA
* SISTEMA Y METODO PARA DOSIFICAR CO2 A PLANTAS AGRICOLAS
* MODELO INDUSTRIAL DE CENICERO
* MEJORAS EN ASADOR
* MOLINO MEJORADO DE IMPACTO POR CENTRIFUGACION
Descripcion: La presente invencion se refiere a procedimiento para la preparacion de peliculas a base de silicio amorfo dopado, por la descomposicion en plasma de una mezcla de gases que incluye silano y un gas dopante, el cual comprende los pasos de: introducir sustratos electricamente conductores o aislantes a una camara, se evacua y se ajusta a una temperatura adecuada, en seguida se introduce el gas silano a la camara, a un flujo deseado, junto con el flujo de los gases dopantes o combinacion de los mismos gases, se ajusta la presion de la camara y se pone en contacto con un plasma, caracterizado en que el gas dopante es pentafluoruro de fosfato o trifluoruro de boro y en que las enegias de activacion de la conductividad electrica del silicio amorfo dopado con menores de 0.3 electron voltios; la temperatura en la placa principal es de 350 grados C o mayor, durante el deposito y se ajusta el generador de plasma para la maxima disipacion posible de potencia.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Procedimiento Para La Preparacion De Peliculas A Base De Silicio Amorfo Dopado en México
Solicitud: 200461
Fecha de Presentacion: 1984-02-24
Solicitante(s):
Inventor(es): WILLIAM FRANCIS PICKIN, STEPHEN MUHL, ROBERTO MONROY LOPEZ, GB
Clasificacion: H01L-029/16 referente a Procedimiento Para La Preparacion De Peliculas A Base De Silicio Amorfo Dopado